Apple zal overschakelen van het gebruik van TLC (triple-level cell) NAND-flash naar MLC (multi-level cell) NAND-flash in de iPhone 6 en iPhone 6 Plus nadat gebruikers ervaren crashen en problemen met de opstartlus met de versies met hogere capaciteit van beide apparaten, rapporten ZakelijkKorea .
Bronnen hebben de krant verteld dat flashgeheugenbedrijf Anobit, dat Apple in 2011 overnam, verantwoordelijk is voor de fabricagefouten. Apple zal naar verluidt overschakelen naar MLC NAND-flash voor de 64 GB iPhone 6 en de 128 GB iPhone 6 Plus, en zal ook crash- en opstartproblemen aanpakken met de release van iOS 8.1.1. Apple heeft eerder MLC NAND-flash gebruikt, in iPhones van de vorige generatie.
TLC NAND-flash is een type solid-state NAND-flashgeheugen dat drie bits gegevens per cel opslaat. Het kan drie keer zoveel gegevens opslaan als single-level cell (SLC) die één bit data opslaat, en 1,5 keer zoveel als multi-level cell (MLC) solid-state flash-geheugen dat twee bits data opslaat. Bovendien is TLC-flitser betaalbaarder. Het is echter ook langzamer dan SLC of MLC bij het lezen en schrijven van gegevens.
Apple bracht eerder deze week zijn eerste bètaversie van iOS 8.1.1 uit aan ontwikkelaars, hoewel het bedrijf niet specificeerde of de meegeleverde bugfixes problemen met de opstartlus en crashes op de iPhone 6 en iPhone 6 Plus aanpakten. Gebruikers die een ongebruikelijke hoeveelheid opstartloops en crashes ervaren met hun iPhone 6 of iPhone 6 Plus, wordt aangeraden om hun apparaten terug te brengen naar een Apple Retail Store voor vervanging.
Populaire Berichten